Placeholder

Электронно – микроскопическое исследование пленки TaSi2, полученной на монокристаллическом кремнии

Бесплатно!

Описание материала

Методами электронной микроскопии были исследованы процессы формирования фазового состава и структуры в пленочной системе Ta-Si/Si. Установлены закономерности изменения морфологии структуры, размеров структурных составляющих формирующейся пленки дисилицида тантала. Наблюдалось,что в пленке, осажденной на подложку кремния при 400оС, после отжига при 1000 °С на стыках между зернами существует зона упругих искажений кристаллографических решеток 2-х соседних зерен и материала подложки, вызванная повышенным содержанием примесных атомов углерода и кислорода. В пленке, полученной при температуре подложки 600оС, локальные центры  напряженности на границе пленка-подложка отсутствуют.

Характеристики

Автор(ы)

Дзярук А.А., Котенко И.Е., Макогон Ю.Н., Мохорт В.А., Нестеренко Ю.В., Свешников В.Л., Сидоренко С.И.

Язык

Russian

Типы файлов

pdf

Качество

excellent

Дата проведения

22-27 апреля 2002 г.

Название конференции

14-ый Международный симпозиум Тонкие пленки в оптике и электронике

место проведения

Украина Харьков

раздел конференции

Раздел IV Методы исследования физических свойств и структуры

Раздел

Ионно-плазменное оборудование и технологии

Отзывы

Пока нет отзывов, хотели бы вы добавить свой отзыв?

Добавьте первый отзыв “Электронно - микроскопическое исследование пленки TaSi2, полученной на монокристаллическом кремнии”