Placeholder

Charging of Submicron Structures during Silicon Dioxide Etching in One- and Two-Frequency Gas Discharges

Free!

Category: .

Product Description

Комбинирование метода Монте-Карло, используемого для моделирования траекторий электронов и ионов в трехмерной геометрии, с аналитическим подходом, развитым для расчетов электрического поля в двумерной геометрии, использовано для моделирования зарядки поверхности периодических субмикронных структур SiO2 под действием потоков электронов и ионов в одно- и двухчастотной ВЧ емкостной плазме газового разряда. Энергетическая функция распределения электронов и ионов, приходящих на дно субмикронной структуры в плазме аргона и его смеси, рассчитана для структур с шириной 11-45 нм и аспектным соотношением d/w=1-10, где d – глубина и w – ширина структуры. Показано, что вторичная электрон-электронная эмиссия (ВЭЭЭ) играет существенную роль в перераспределении электрического заряда и, соответственно, электрического потенциала в субмикронной структуре. Продемонстрировано, что в случае учета механизма ВЭЭЭ, энергетический спектр ионов на дне субмикронной структуры испытывает сдвиг в сторону меньших энергий и уширение, по сравнению со спектром потока ионов из плазмы одночастотного разряда. Причем величина сдвига и уширения является функцией лишь коэффициента ВЭЭЭ, энергии заряженных частиц и выбранного аспектного соотношения.

Additional Information

Quality

excellent

Volume

36

10

Section

Research methods, Plasma Physics

Types of files

pdf

Pages

949–959

Language

Russian

Authors

Манкелевич Ю.А., Палов А.П., Рахимова Т.В., Шамирян Д.

Reviews

There are no reviews yet, would you like to submit yours?

Be the first to review “Charging of Submicron Structures during Silicon Dioxide Etching in One- and Two-Frequency Gas Discharges”