Placeholder

Зарядка субмикронных структур при травлении диоксида кремния в одно- и двухчастотном газовом разряде

Бесплатно!

Категория: .

Описание материала

Комбинирование метода Монте-Карло, используемого для моделирования траекторий электронов и ионов в трехмерной геометрии, с аналитическим подходом, развитым для расчетов электрического поля в двумерной геометрии, использовано для моделирования зарядки поверхности периодических субмикронных структур SiO2 под действием потоков электронов и ионов в одно- и двухчастотной ВЧ емкостной плазме газового разряда. Энергетическая функция распределения электронов и ионов, приходящих на дно субмикронной структуры в плазме аргона и его смеси, рассчитана для структур с шириной 11-45 нм и аспектным соотношением d/w=1-10, где d – глубина и w – ширина структуры. Показано, что вторичная электрон-электронная эмиссия (ВЭЭЭ) играет существенную роль в перераспределении электрического заряда и, соответственно, электрического потенциала в субмикронной структуре. Продемонстрировано, что в случае учета механизма ВЭЭЭ, энергетический спектр ионов на дне субмикронной структуры испытывает сдвиг в сторону меньших энергий и уширение, по сравнению со спектром потока ионов из плазмы одночастотного разряда. Причем величина сдвига и уширения является функцией лишь коэффициента ВЭЭЭ, энергии заряженных частиц и выбранного аспектного соотношения.

Характеристики

Качество

excellent

Том

36

10

Раздел

Методы исследованияФизика плазмы

Типы файлов

pdf

Количество страниц

949–959

Язык

Russian

Автор(ы)

Манкелевич Ю.А., Палов А.П., Рахимова Т.В., Шамирян Д.

Отзывы

Пока нет отзывов, хотели бы вы добавить свой отзыв?

Добавьте первый отзыв “Зарядка субмикронных структур при травлении диоксида кремния в одно- и двухчастотном газовом разряде”

Введите текст вашего объявления о Купле/продаже!

*

*

*