Placeholder

Влияние схемы плазмохимических процессов на характеристики барьерного разряда в ксеноне

Бесплатно!

Категория: .

Описание материала

Представлены результаты расчета установившейся динамики характеристик барьерного разряда в ксеноне при давлении 400 Тор в рамках одномерной диффузионно-дрейфовой модели. Толщина одинаковых барьеров с диэлектрической проницаемостью 4 равна 2 мм, ширина газового промежутка 4 мм. Разряд поддерживается гармонически изменяющимся на электродах напряжением с амплитудой 8 кВ и частотой 25 или 50 кГц. Анализируются развитие волны ионизации, пробой и фаза послесвечения в барьерном разряде, характеристики которого рассчитаны с использованием двух кинетических схем элементарных процессов в ксеноновой плазме. Показано, что в зависимости от схемы плазмохимических процессов качественно меняются эволюция падения потенциала на газовом промежутке и силы тока, момент пробоя и количество пробоев на полупериод.

Характеристики

Качество

excellent

Том

34

6

Раздел

Физика плазмы

Типы файлов

pdf

Количество страниц

497–516

Язык

Russian

Автор(ы)

Автаева С.В., Кулумбаев Э.Б.

Отзывы

Пока нет отзывов, хотели бы вы добавить свой отзыв?

Добавьте первый отзыв “Влияние схемы плазмохимических процессов на характеристики барьерного разряда в ксеноне”