Placeholder

Влияние имплантации 60 кэВ фосфором на фликкер-шум в p-Si

Бесплатно!

Описание материала

Исследовалось влияние доз имплантации в диапазоне 1×1011 …1×1016 см-2 на низкочастотные токовые шумы (НЧТШ) в тонких ионно-легированных слоях р-кремния (КДБ), имплантированного ионами фосфора с энергией 60 кэВ без термообработки пластин. Для частот меньше 2500 Гц при всех дозах облучения НЧТШ близок шуму типа 1/fγ, а показатель g плавно изменяется от 1,19 до 2,26. Изменение показателя γ может быть объяснено моделью Лоренца для слабовзаимодействующих дефектных уровней. С увеличением γ возрастает и время ti релаксационных процессов на всем дозовом диапазоне.

Характеристики

Автор(ы)

Подвальный Л.С.

Язык

Russian

Типы файлов

pdf

Качество

excellent

Дата проведения

22-27 апреля 2002 г.

Название конференции

14-ый Международный симпозиум Тонкие пленки в оптике и электронике

место проведения

Украина Харьков

раздел конференции

Раздел I Механизмы роста и структура тонких пленок

Раздел

Ионно-плазменное оборудование и технологии

Отзывы

Пока нет отзывов, хотели бы вы добавить свой отзыв?

Добавьте первый отзыв “Влияние имплантации 60 кэВ фосфором на фликкер-шум в p-Si”